Cu掺杂对有序Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶的结构与物理性能的影响

采用固相反应法制备了四方Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ(x=0~1.0)多晶。用热重-差示扫描量热分析,X射线衍射研究了多晶的有序化相变及结构。在固溶范围内(x=0~0.4),观察到有序峰(103)和(215),说明四方Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶为超结构,这是由于合成时在1000℃以上发生了吸氧(δ)有序化相变；当x=0.6~1.0时,978℃时在晶界处形成了单斜杂相,破坏了Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶的有序。当x=0~0.4时,多晶呈半导体输运行为。随着Cu掺杂量的增加,Co4+提供的空穴载流子浓度增大,电阻率明显下降；由于Cu的固溶,自旋熵增加,载流子浓度和自旋熵的共同作用使x=0~0.2多晶的热电势不变,x=0.4的热电势降低。并且Cu掺杂导致的晶格畸变使Co3+离子由高自旋态转变为高/低自旋混合态,磁化强度和铁磁转变温度(Tc)降低,磁结构由G-型反铁磁转变为铁磁。在进行二次烧结后,300K时电阻率明显降低,热电势为一次烧结的2倍,可能是二次烧结使多晶的有序化程度增大,提高了铁磁有序排列。     

一种“KooN”结构的马尔可夫简并建模和简化计算的方法

IEC61508等标准提出了几种计算安全仪表系统需求时平均失效概率的方法,但是,对于具有冗余配置的复杂系统,随着组件数量的增加,系统的中间状态数量快速增长,用户难以构建马尔可夫模型,即便借助计算机来建模运算也较为耗时。提出了一种同型“K oo N”简并状态的马尔可夫建模的通用方法,首先是根据降级状态进行判断,将符合条件的状态进行简并,然后对标记为危险失效状态的概率进行计算。通过严格的理论推导,该简并状态方法可以在不损失精度的前提下简化马尔可夫建模。     

Effect of ultrasonic waveforms on gas–liquid mass transfer in microreactors

This study aims to investigate the effect of ultrasonic waveforms on the gas–liquid mass transfer process. For a given load power (P), continuous rectangular wave yielded stronger bubble oscillation and higher mass transfer coefficient (k_La) than continuous triangular and sinusoidal wave. For pulsed ultrasound, the k_La decreased monotonically with decreasing duty ratio (D), resulting in weak enhancement at low D (≤33%). For a given average load power (P_A), concentrating the P for a shorter period resulted in a higher k_La due to stronger cavitation behavior. For a given P_A and D, decreasing the pulse period (T) led to an increase in k_La, which reached a constant high level when the T fell below a critical value. By optimizing the D and T, a k_La equivalent to 92% of that under continuous ultrasound was obtained under pulsed ultrasound at a D of 67%, saving 33% in power consumption.     

行李箱外板浮动整形模设计

介绍了某轿车行李箱外板的翻边侧整形模设计过程,行李箱外板的侧法兰翻边上存在凹包,其翻边方向和凹包成形方向不同,常规需要2道工序分别完成翻边和凹包成形。该模具突破了传统的设计结构,在翻边机构中设置了凹包成形机构,将2个不同方向的成形复合到1道工序中,减少了模具数量,降低了冲压成本和工装成本。     

CFETR水冷陶瓷增殖剂包层模块产氚率实验验证

水冷陶瓷增殖剂（WCCB）包层作为中国聚变工程试验堆（CFETR）候选包层之一，承担着氚增殖、核热提取、屏蔽等重要涉核功能，其中子学设计的可靠性直接影响CFETR氚自持目标的实现。为验证中子学设计工具，即MCNP和FNEDL3.0数据库，在WCCB包层中子学设计中的可靠性，基于研制出的WCCB包层模块，在DT中子环境下开展中子学实验，对以产氚率（TPR）为代表的中子学参数进行了模拟值（C）和实验值（E）对比分析。结果表明，模块中轴线位置处TPR的C/E为0.97?1.08，而模块边缘位置处TPR的C/E为0.65?0.82；模块钛酸锂层边缘区197Au（n，γ）198Au反应率的C/E为0.72?0.90，表明模块边缘区存在非期望的散射中子，导致该区TPR模拟值和实验值偏离较大。